[发明专利]发光器件无效
| 申请号： | 03102744.X | 申请日： | 2003-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN1432984A | 公开（公告）日： | 2003-07-30 |
| 发明（设计）人： | 纳光明;安西彩;小山润;宇田川诚;早川昌彦;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G09G3/30 | 分类号： | G09G3/30;G09G3/32 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳,梁永 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种实现高孔径比的发光器件，其中图像的质量几乎不受TFT特性变化的影响。在像素部分中不提供大保持电容Cs，而是将驱动TFT的沟道长度和沟道宽度增加，并将沟道电容用作Cs。选择沟道长度显著大于沟道宽度，以改善饱和区的电流特性，并且将高VGS作用于驱动TFT以获得期望的漏极电流。因此，驱动TFT的漏极电流几乎不受阈值电压变化的影响。此外，设计像素时，导线被安排在隔离壁下面，TFT安排在导线下面，从而尽管增加驱动TFT的尺寸也可以避免减小孔径比。在3晶体管像素的情况下，开关TFT和擦除TFT线性排列，以进一步增加孔径比。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.一种发光器件，包括：多个像素，每个像素包括：一个发光元件；和一个驱动晶体管；其中，用于保持每个驱动晶体管的栅-源电压的电容器由驱动晶体管的栅极、半导体层中的沟道形成区、和其间的绝缘薄膜构成。
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