[发明专利]半导体器件的图案形成方法及半导体器件无效
| 申请号： | 03102902.7 | 申请日： | 2003-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN1471132A | 公开（公告）日： | 2004-01-28 |
| 发明（设计）人： | 黄永善;郑载昌;李晟求;卜喆圭;申起秀 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈红;楼仙英 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件的图案形成方法，由在形成半导体器件的光刻胶图案的过程中在防反射膜上形成细微弯曲，来增大光刻胶与防反射膜间的接触面积，并能防止光刻胶图案崩溃现象，同时，重复积层有不同折射率和吸光度的两层防反射膜，能防止因防反射膜的弯曲而降低图案关键尺寸的均匀度。一种半导体器件的图案形成方法包括：在被蚀刻层的上部涂布第一层有机防反射膜组成物，对其进行烘烤形成第一层有机防反射膜；在第一层防反射膜上部，涂布有与第一层防反射膜不同折射率和吸光度的第二层防反射膜组成物，对其进行烘烤形成第二层防反射膜；对形成的防反射膜进行蚀刻，而在防反射膜上形成细微弯曲；在有机防反射膜上涂布光刻胶，曝光显影后形成光刻胶图案。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 图案 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的图案形成方法，包括如下步骤：(a)在被蚀刻层的上部涂布第一层有机防反射膜组成物，对其进行烘烤形成第一层有机防反射膜；(b)在所述第一层防反射膜的上部，涂布具有与第一层防反射膜不同折射率以及吸光度的第二层防反射膜组成物，并对其进行烘烤形成第二层防反射膜；(c)对所述形成的防反射膜进行蚀刻，在防反射膜上形成细微弯曲；(d)在所述有机防反射膜上涂布光刻胶，曝光显影而形成光刻胶图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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