[发明专利]SOI型半导体装置及其制造方法

摘要

提供一种小型SOI型半导体装置。它是一种至少包括在绝缘膜(2)上形成的包含半导体层(3)的SOI基板(50)，和在半导体层3上形成的能动型半导体元件(60)的SOI型半导体装置(1000)。在SOI型半导体装置上的能动型半导体元件(60)，形成在由为斑点状分离半导体层(3)的分离区域(4)所包围的元件形成区域(70)内，在形成了能动型半导体元件(60)的元件形成区域(70)以外的半导体层(3)的一部分(80)上，形成了含有高浓度不纯物的吸收层(9)，并且，在形成了能动型半导体元件(60)的元件形成区域(70)内不形成吸收层(9)。

主权项

1.一种SOI型半导体装置，至少包括：绝缘模、包含形成在上述绝缘膜上的半导体层的SOI基板、在上述半导体层上形成的能动型半导体元件的SOI型半导体装置，其中：上述能动型半导体元件，形成在为将上述半导体层分离为斑点状的分离区域所包围的元件形成区域内，上述能动型半导体元件形成前在上述元件形成区域以外的上述半导体层的一部分上，形成含有高温度不纯物的吸收层，加上，上述能动型半导体元件形成前的上述元件形成区域内，没有形成上述吸收层。