[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 03102958.2 | 申请日： | 2003-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN1459828A | 公开（公告）日： | 2003-12-03 |
| 发明（设计）人： | 山田哲也;上野敦史;辻田好一郎;山口敦美;冈川崇 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,叶恺东 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 为了抑制随栅电极的细线化而引起的长度方向的缩短，而对在蚀刻栅电极材料膜4形成栅电极时成为掩模的硬掩模5a作细线化处理。这时，预先形成有源区1上有开口部11的光刻胶掩模10；至少用光刻胶掩模10覆盖硬掩模5a的长度方向上的两端部分，且至少将开口部11处硬掩模5a的有源区1正上方部分整个露出。通过以光刻胶掩模10为掩模的蚀刻使硬掩模5a细线化，硬掩模5a的有源区1上的部分被细线化，但其长度方向上不随之被缩短。结果，用经细线化的硬掩模5a形成的栅电极的长度不被缩短。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括：(a)在表面形成有源区的半导体衬底上，形成栅绝缘膜，在所述栅绝缘膜上形成栅电极材料膜的工序；(b)在所述栅电极材料膜上，形成横穿所述有源区的线状的第一保护膜的工序；(c)形成至少遮盖所述第一保护膜的长度方向上的两端部分，且至少留出所述第一保护膜的所述有源区上的部分不加以遮盖的第二保护膜的工序；(d)以所述第二保护膜为掩模，对所述第一保护膜进行细线化的工序；以及(e)通过以所述经细线化的所述第一保护膜为掩模蚀刻所述栅电极材料膜，形成栅电极的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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