[发明专利]绝缘膜的制造装置无效
| 申请号： | 03102980.9 | 申请日： | 2003-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN1435865A | 公开（公告）日： | 2003-08-13 |
| 发明（设计）人： | 中田行彦;东和文;冈本哲也;后藤真志 | 申请（专利权）人： | 株式会社液晶先端技术开发中心 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/469 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 | 代理人： | 徐申民 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种绝缘膜的制造装置，该装置降低了由透光窗的光线减少，以使处理基板大型化，同时也可提升氧化速度。其中，至少在含有氧气的N2+O2混合气体10中，使用照射氙气激励灯(xenonexcimerlamp)1光线形成的氧原子活性种，对基板6的半导体表面进行氧化，而在该表面形成绝缘膜的绝缘膜制造装置中，具有：由不吸收氙气激励灯1光线的氮气，使在大气压封入的光源2内环境气氛压力，与基板6表面部的N2+O2混合气体10的环境气氛压力保持为略相等的气体导入口8及气体排出口9。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 制造 装置 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘膜制造装置，其特征在于，是在至少含有氧气的环境气氛中，使用由光源照射光形成的氧原子活性种，使半导体表面形成绝缘膜的绝缘膜制造装置中，具有：保持上述光源环境气氛压力，及上述半导体表面部环境气氛压力为略等的保持手段。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
