[发明专利]窗口隔离型极小孔半导体激光器和制作方法无效
| 申请号： | 03103008.4 | 申请日： | 2003-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN1521907A | 公开（公告）日： | 2004-08-18 |
| 发明（设计）人： | 康香宁;宋国峰;陈良惠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种窗口隔离型极小孔激光器，其中包括：一衬底；一N面电极，该N面电极制作在衬底的底面；一下限制层，该下限制层制作在衬底的上面；一有源区，该有源区制作在下限制层的上面；在该有源区上形成有限制出光的小孔；一上限制层，该上限制层制作在有源区的上面；脊形波导区，该脊形波导区制作在上限制层的上面；一绝缘介质膜，该绝缘介质膜制作在上限制层和脊形波导区的上面；一窗口隔离区和其上的覆盖层，该窗口隔离区和其上的覆盖层在激光器的两端、脊形波导的上面；一P面电极，该P面电极制作在绝缘介质膜的上面，在窗口隔离区之间。 | ||
| 搜索关键词： | 窗口 隔离 极小 半导体激光器 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种窗口隔离型极小孔激光器，其特征在于，其中包括：一衬底；一N面电极，该N面电极制作在衬底的底面；一下限制层，该下限制层制作在衬底的上面；一有源区，该有源区制作在下限制层的上面；在该有源区上形成有限制出光的小孔；一上限制层，该上限制层制作在有源区的上面；脊形波导区，该脊形波导区制作在上限制层的上面；一绝缘介质膜，该绝缘介质膜制作在上限制层和脊形波导区的上面；一窗口隔离区和其上的覆盖层，该窗口隔离区和其上的覆盖层在激光器的两端、脊形波导的上面；一P面电极，该P面电极制作在绝缘介质膜的上面，在窗口隔离区之间。
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