[发明专利]激光能量自动控制系统与方法有效
| 申请号： | 03103335.0 | 申请日： | 2003-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN1519899A | 公开（公告）日： | 2004-08-11 |
| 发明（设计）人： | 廖龙盛;许建宙;曹义昌 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/66;B23K26/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种激光能量自动控制系统与方法。该方法包括：首先，提供一衬底。接着，测量衬底的氢含量值。然后，评估氢含量值是否小于一氢含量临界值。若氢含量大于氢含量临界值，则发出一警示信号。若氢含量不大于氢含量临界值，则测量衬底的厚度值。另外，建立各衬底厚度值与各激光能量值的一个对比表。接着，藉由对比表评估对应厚度值的一个激光能量值。最后，以激光能量值为依据施加一对应激光能量于衬底。本发明还提供实行该方法所需的系统。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 能量 自动控制系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种激光能量自动控制系统，包括：一衬底承载装置，用以承载一衬底；一测量装置，用以测量上述衬底的一厚度值与上述衬底的一氢含量值；一对比装置，用以提供一氢含量临界值与各衬底厚度值与各激光能量值的一对比表，藉以评估上述氢含量值是否大于上述氢含量标准值，且以上述厚度值对比上述对比表所对应的一激光能量值；以及一激光装置，用以依据上述激光能量值施加一对应激光能量于上述衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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