[发明专利]化学机械抛光浆料和使用该浆料的化学机械抛光方法无效
| 申请号： | 03103408.X | 申请日： | 2003-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN1441017A | 公开（公告）日： | 2003-09-10 |
| 发明（设计）人： | 李在东;尹普彦;韩镛弼 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王维玉,丁业平 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了用于化学机械抛光(CMP)的浆料，包括高平面性浆料和高选择比浆料。高平面性浆料含有至少一种金属氧化物研磨剂粒子和第一浓度的阴离子聚合物钝化剂。高选择比浆含有至少一种金属氧化物研磨剂粒子；第二浓度的钝化剂，钝化剂的第二浓度比高平面性浆中钝化剂的第一浓度低；季胺及其盐之一；和pH调节剂。高选择比浆的pH在约高于抛光目标层的等电点至约低于抛光停止层的等电点的范围内。另外，还提供了使用具有高平面性和高选择比CMP浆料的CMP方法。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械抛光 浆料 使用 方法 | ||
【主权项】：
1.一种成套浆料，用于对具有抛光停止层和覆盖抛光停止层的抛光目标层的衬底进行化学机械抛光，所述的成套浆料包含：第一水性浆料，含有至少一种金属氧化物研磨剂粒子和第一浓度的阴离子聚合物钝化剂；和第二水性浆料，含有至少一种金属氧化物研磨剂粒子和第二浓度的阴离子聚合物钝化剂，其中第二浓度小于第一浓度，其中第二水性浆料的pH(氢电位)范围为约高于抛光目标层的等电点至约低于抛光停止层的等电点。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03103408.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
