[发明专利]制造半导体基质的方法无效
| 申请号： | 03103459.4 | 申请日： | 2003-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN1435862A | 公开（公告）日： | 2003-08-13 |
| 发明（设计）人： | 马哲申;道格拉斯·詹姆斯·特威滕;许胜籘 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 程金山 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造半导体基质的方法，其包括形成具有相对高的Ge含量的SiGe层的方法，其包括制备硅基质；沉积SiGe层至厚度约100nm－500nm，其中SiGe层的Ge含量以摩尔分数计算等于或者大于22％；以大约1·1016cm－2－5·1016cm－2的剂量和大约20keV－45keV的能量，把H+离子注入到SiGe层；在惰性气氛下，在约650℃－950℃热退火硅基质和SiGe层30秒钟到30分钟，以松弛SiGe层；和在松弛的SiGe层上沉积一层厚度约5nm－30nm的张力—应变的硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 基质 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造半导体基质的方法，其包括形成具有相对高的Ge含量的SiGe层的方法，包括：制备硅基质；沉积SiGe层至厚度为约100nm-500nm，其中SiGe层的Ge含量以摩尔分数计算等于或者大于22％；以大约1·1016cm-2-5·1016cm-2的剂量和大约20keV-45keV的能量，把H+离子注入到SiGe层；在惰性气氛下，在约650℃-950℃热退火硅基质和SiGe层约30秒钟到30分钟，以松弛SiGe层；和在松弛的SiGe层上沉积一层厚度约5nm-30nm的张力-应变的硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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