[发明专利]设有伪单元的薄膜磁性体存储装置无效
| 申请号： | 03103462.4 | 申请日： | 2003-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN1463009A | 公开（公告）日： | 2003-12-24 |
| 发明（设计）人： | 谷崎弘晃;辻高晴;大石司 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社;三菱电机工程株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L43/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 伪单元(DMC)中设置具有和磁致电阻元件(TMR)相同特性(即随两端施加电压而变化的特性)的多个伪磁致电阻元件(TR、TM)。并且，使加在各伪磁致电阻元件两端的施加电压小于加在存储单元(MC)的磁致电阻元件两端的施加电压，由此，伪单元被设计成具有第一与第二电阻之间的中间电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 设有 单元 薄膜 磁性 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜磁性体存储装置，其中设有：保持磁写入存储数据的多个存储单元，各所述存储单元包含磁致电阻元件，该元件对应于所述存储数据而具有第一电阻和比所述第一电阻大的第二电阻这二者之一的电阻，各所述第一与第二电阻具有按照加于所述磁致电阻元件两端的电压变化的特性；还设有：数据读出时，在连接第一电压的同时，经由所述多个存储单元中的选择存储单元跟第二电压连接，接受数据读出电流供给的第一数据线，设计成具有所述第一和第二电阻之间的中间电阻的伪单元，所述数据读出时，与所述第一电压连接的同时，经由所述伪单元跟所述第二电压连接，接受所述数据读出电流供给的第二数据线，以及根据所述第一与第二数据线的通过电流差产生读出数据的数据读出电路；所述伪单元包含多个其各自特性和所述磁致电阻元件基本相同的伪磁致电阻元件；各所述伪磁致电阻元件，经由串联连接的另一伪磁致电阻元件跟所述第二数据线连接，所述数据读出时，在各所述伪磁致电阻元件两端施加的电压，比加于所述磁致电阻元件的小。
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