[发明专利]埋置绝缘体型半导体碳化硅衬底的制作方法和制作装置有效
| 申请号： | 03103470.5 | 申请日： | 2003-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN1435866A | 公开（公告）日： | 2003-08-13 |
| 发明（设计）人： | 泉勝俊;中尾基;大林義昭;峯啓治;平井誠作;条邊文彥;田中智之 | 申请（专利权）人： | 大阪府;星电器制造株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/20;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 张政权 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的是在SOI衬底上廉价且方便地形成单晶碳化硅薄膜。第一步是，把表面硅层薄膜130厚度不大于10nm并且带有埋置绝缘体120的SOI衬底100放置到加热炉200中，通过将氢气G1和碳氢气体G2的混合气体(G1+G2)输送到上述加热炉200中增加加热炉200中的气体温度，这样上述SOI衬底100的表面硅层130变形为单晶碳化硅薄膜140；第二步是，通过过分地执行上述第一个步骤在上述单晶碳化硅薄膜140上沉积碳薄膜150；第三个步骤是，用以预定比率混合氧气G3的惰性气体G4代替上述混合气体(G1+G2)，然后将上述SOI衬底100加热到550℃或更高，这样通过蚀刻除去上述碳薄膜150；第四个步骤是用不混合氧气G3的纯惰性气体G4取代上述其中混合氧气G3的惰性气体G4的步骤，并且将上述加热炉200中的大气温度升高到预定的温度；第五个步骤是在保持上述大气预定温度的条件下，将氢气G1和硅烷气G5加入加热炉200中，这样使新的单晶碳化硅薄膜160生长在上述SOI衬底100的表面上的单晶碳化硅薄膜140上。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 体型 半导体 碳化硅 衬底 制作方法 制作 装置 | ||
【主权项】：
1.一种埋置绝缘体型半导体碳化硅衬底的制作方法，其特征在于，包括下面步骤：把带有预定厚度表面硅层和埋置绝缘体的SOI衬底放置到加热炉中，通过将氢气和碳氢气体的混合气体输送到所述加热炉中并且提高加热炉中的气体温度，从而将所述SOI衬底的表面硅层变形为单晶碳化硅薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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