[发明专利]光电子材料、使用该材料的器件和制造光电子材料的方法无效
申请号: | 03103491.8 | 申请日: | 1997-05-26 |
公开(公告)号: | CN1516239A | 公开(公告)日: | 2004-07-28 |
发明(设计)人: | 山田由佳;吉田岳人;武山茂;松田祐二;武藤胜彦 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L21/203 | 分类号: | H01L21/203;H05B33/00;H01L33/00;H01L31/08 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 洪玲 |
地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种光电子材料,它包括具有可控电学特性的均匀介质;以及分布于该介质中且平均微粒尺寸为100nm或更小的半导体特细微粒,本发明还涉及使用该材料的应用器件。本发明也涉及光电子材料的制造方法,通过用激光辐射置于处在低压惰性气体环境下的反应室中一种半导体材料的第一靶以及置于该反应室中具有可控电学特性的第二靶,在置于反应室中的衬底上,凝聚/生长从第一靶烧蚀的半导体材料,以集中成为平均微粒尺寸为100nm或更小的特细微粒。 | ||
搜索关键词: | 光电子 材料 使用 器件 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种光电子材料的制造方法,其特征在于包括:第一靶材料放置步骤,把第一靶材料置于处在低压惰性气体环境中的真空反应室中;衬底放置步骤,把衬底置于所述真空反应室中;以及烧蚀步骤,以激光光束辐射在所述第一靶材料放置步骤所放置的所述第一靶材料,以引起靶材料的解吸和注入,从而在所述衬底上俘获通过在惰性气体环境中凝聚和生长在所述烧蚀步骤中解吸和注入的材料而获得特细微粒以获得包含所述特细微粒的光电子材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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