[发明专利]多芯片封装体及其制造方法无效
申请号: | 03103518.3 | 申请日: | 2003-01-28 |
公开(公告)号: | CN1453868A | 公开(公告)日: | 2003-11-05 |
发明(设计)人: | 崔信 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
主分类号: | H01L25/00 | 分类号: | H01L25/00;H01L23/12;H01L23/48;H01L21/50 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波,侯宇 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开了一种多芯片封装体及其制造方法。该多芯片封装体包含:一电路基板,包含围绕该多芯片封装体三侧的第一、第二和第三区域;以及,至少两个半导体芯片,置于由上述三个区域的内表面所定义的封装体的内部空间中,该半导体芯片彼此物理结合且彼此电连接。利用该多芯片封装体,不仅可以堆叠相同类型的存储芯片从而增加存储容量,而且还可以将不同类型的存储芯片组合地排列而实现一具有各种功能的系统化封装体。 | ||
搜索关键词: | 芯片 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种多芯片封装体,其包含:一电路基板,包含围绕该多芯片封装体的三侧的第一、第二和第三区域;以及至少两个半导体芯片,置于由上述三个区域的内表面所定义的该封装体的内部空间中,其中该半导体芯片彼此物理结合且彼此电连接。
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