[发明专利]半导体装置的电容器及其制备方法

摘要

本发明提供一种半导体装置的电容器及其制备方法，本发明的电容器的制备方法包含下列步骤：在半导体基板上形成由掺杂硅的材料(doped silicon materials)制成的下部电极；在下部电极上沉积薄氮化硅层；在氮化硅层表面上，通过氮化硅层的氧化形成氧氮化硅层(silicon oxynitride layer)；在氧氮化硅层上沉积介电层；并且在介电层上形成上部电极；依据此方法，在氮化硅层沉积在介电层上之后，对所得的构造进行氧化处理，并且介电层在已被氧化的氮化硅层上形成，藉此改进在下部电极和介电层间的界面特性，并可导致半导体装置电容器的漏泄电流减少和击穿电压增加。

主权项

1.一种半导体装置的电容器，其包含：在半导体基板上形成由掺杂硅的材料所制成的下部电极；在下部电极上形成的薄氮化硅层；通过氮化硅层的氧化而在氮化硅层表面上形成的氧氮化硅层；在氧氮化硅层上形成的介电层；以及在介电层上形成的上部电极。