[发明专利]一种高速生长硅基薄膜的低成本技术

摘要

本发明涉及生长硅基薄膜，尤其是在低温衬底上高速生长优质硅基薄膜的低成本技术，属于薄膜光伏电池与薄膜晶体管等光电子器件技术领域。本发明是克服常规生长硅基薄膜方法中或生长速率慢、或衬底温度高、或离子轰击严重等缺陷，整合其优点。方案是，硅烷等反应气体先经过热丝加热，再输运到施加超高频功率信号电极之间，只需施加较小功率的甚高频信号，使硅烷易充分分解，通过化学气相反应沉积成膜，降低了离子轰击，改善薄膜质量。本发明的有益效果：衬底温度低，便于采用玻璃、塑料等廉价衬底；离子轰击小，薄膜生长速度快(＞50A/s)、性能好；反应气体分解充分，节省原材料，提高生产效率，降低了生产成本。

主权项

1.一种高速生长硅基薄膜的低成本技术--热催化甚高频等离子增强化学气相沉积技术，其特征在于：把HW-CVD和VHF-PECVD两种技术整合在一起，在低温衬底上高速生长优质硅基薄膜。它由两平行板电极(1、4)、平行板电极前面的热丝(5)、热丝前面的气箱(6)构成，电极板阴极(1)上设置衬底(2)；反应气体经气箱喷出，先经过热丝加热，再输运到施加超高频功率信号的两平行板电极之间，使反应气体分解，通过化学气相反应成膜于平行板电极阴极的衬底上。