[发明专利]电容值测定方法

摘要

本发明提供即使产生无法忽视测定对象电容的泄漏电流，也可以测定正确电容值的电容值测定方法。在步骤S1，采用正常的PMOS栅极电位Gp1作为以一定周期控制PMOS晶体管MP1及MP2的导通/截止的PMOS栅极电位Gp，测定测试电流ICnorm。在步骤S2，采用“L”期间及下降时间为正常PMOS栅极电位Gp1的等比倍的导通时间等比倍PMOS栅极电位Gp2，作为PMOS栅极电位Gp，测出电流ICrat。在步骤S3，根据电流ICnorm及电流ICrat，除去泄漏电流IRt，计算出仅由电容电流ICt构成的电容电流CIC的电流量。在步骤S5，根据电容电流CIC及步骤S4求出的充电频率frat，求出目标电容CCt。

主权项

1.连接到包含充电晶体管的CBCM(Charge Based CapacitanceMeasurement：基于充电的电容测量)电路上的测定对象电容的电容值测定方法，该测定方法具备如下步骤：(a)将以指定周期控制上述充电晶体管导通/截止动作的第1控制信号赋予上述充电晶体管，测定通过上述充电晶体管供给上述测定对象电容的第1测试电流的电流量的步骤，(b)将以上述指定周期控制上述充电晶体管导通/截止动作的第2控制信号赋予上述充电晶体管，测定通过上述充电晶体管供给上述测定对象电容的第2测试电流的电流量的步骤；并将上述第2控制信号指示上述充电晶体管的导通状态时间设定为第1控制信号指示上述充电晶体管的导通状态时间的指定倍数，(c)根据上述第1及第2测试电流，除去随上述测定对象电容产生的泄漏电流，算出只用于上述测定对象电容充电的电容电流的电流量的步骤，(d)算出适合上述电容电流的电流量的充电频率的步骤，(e)根据上述电容电流的电流量及上述充电频率，计算出上述测定对象电容的电容值的步骤。