[发明专利]半导体存储装置

摘要

在具有分别具备了2个n型大容量存取晶体管和n型大容量激励晶体管及p型大容量负载晶体管的全CMOS型存储单元的半导体存储装置中，相对存储节点被连接的充电容量附加用的充电容量体由绝缘膜及导电膜构成，该绝缘膜及导电膜在上述第1及第2单元节点的上侧被直接形成。由此，提供一种不伴随单元面积的增大，在单元节点中附加充电容量，软错误耐性优异的半导体存储装置。

主权项

1.一种具备了按阵列状配置的多个全CMOS型存储单元的半导体存储装置，其特征在于：上述各存储单元具有第1负载晶体管及第1激励晶体管，其在被串联连接在电源电压线与接地电压线之间的同时，其栅极对同一配线被共同连接；第2负载晶体管及第2激励晶体管，其在与上述第1激励晶体管同样被串联连接在上述电源电压线与接地电压线之间的同时，其栅极对同一配线被共同连接；第1单元节点，其使上述第1负载晶体管中的活性区域与上述第1激励晶体管中的活性区域连接，而且对上述第2负载晶体管及第2激励晶体管的栅极进行连接；第2单元节点，其使上述第2负载晶体管中的活性区域与上述第2激励晶体管中的活性区域连接，而且对上述第1负载晶体管及第1激励晶体管的栅极进行连接；第1存取晶体管，其被连接在上述第1单元节点与第1位线之间，其栅极被连接于字线；第2存取晶体管，其被连接在上述第2单元节点和与上述第1位线成对的第2位线之间，其栅极被连接于上述字线；绝缘膜及导电膜，其为与上述第1及第2单元节点一同构成充电容量体，按照在该第1及第2单元节点的上侧，共同覆盖该单元节点双方，在第1及第2单元节点与导电膜之间裹夹绝缘膜的原则形成。