[发明专利]半导体元件及其制造方法，和半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 03104240.6 | 申请日： | 2003-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN1437256A | 公开（公告）日： | 2003-08-20 |
| 发明（设计）人： | 西山知宏;田子雅基 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/52;H01L21/28;H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用能使组件成形的电解镀敷法，将由铜等形成的柱状块，经过晶片上的接合膜和粘接膜，形成在布线薄膜上。例如金的防氧化膜在柱状块的上表面或一部分上表面和侧表面形成。例如氧化膜这样的防沾湿膜，按需要形成在柱状块上。如果这个块焊接至布线基板上的焊盘，焊料将沾湿于柱状块上表面整个区域，和侧表面的部分区域。因此能形成稳定而可靠的连接。另外，由于柱状块不熔化，半导体线路板和组装线路板之间的距离不因焊料而变窄。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，其特征在于：所述半导体元件包括：柱状凸起，其用作块，形成在半导体衬底上的电极上并暴露在所述半导体衬底上；和盖膜，其覆盖在所述柱状凸起的侧表面上部和上表面，所述盖膜确定防止所述柱状凸起氧化和焊接时被焊料沾湿的区域。
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