[发明专利]热处理硅晶片的方法及用该方法制造的硅晶片有效
| 申请号： | 03104264.3 | 申请日： | 2003-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN1437229A | 公开（公告）日： | 2003-08-20 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·赫兹尔;克里斯托夫·佐伊林;赖因霍尔德·瓦利什;维尔弗雷德·冯·阿蒙 | 申请（专利权）人： | 瓦克硅电子股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/477;C30B33/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 联邦德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种热处理硅晶片的方法，其中该硅晶片至少暂时暴露于含氧气氛中，热处理进行时的温度是经适当选择以便满足以下不等式：其中[Oi]是硅晶片内的氧浓度。[Oi]eq(T)是在T温度下硅内氧的溶解度极限，σsio2是二氧化硅的表面能，Ω是沉淀氧原子的体积，r是平均COP半径以及k是波耳兹曼常数。本发明还涉及一种硅晶片，该硅晶片的整体氧沉淀成核中心密度为至少107/立方厘米，其正面上具有至少1微米厚的无成核中心区，以及在至少50％晶片厚度深处的COP密度低于10000/立方厘米。 | ||
| 搜索关键词： | 热处理 晶片 方法 制造 | ||
【主权项】：
1.一种热处理硅晶片的方法，其中该硅晶片至少暂时暴露于含氧气氛中，热处理进行时的温度是经适当选择以便满足以下不等式：[Oi]<[Oi]eq(T)exp(2σSiO2ΩrkT)---(1)其中[Oi]是硅晶片内的氧浓度，[Oi]eq(T)是在T温度下硅内氧的溶解度极限，σsio2是二氧化硅的表面能，Ω是沉淀氧原子的体积，r是平均COP半径以及k是波耳兹曼常数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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