[发明专利]驱动电路

摘要

本发明公开了一种驱动电路，它仅用驱动级电路所要求的低击穿电压元件，就能输出大约为击穿电压的2倍的电压。为主要部分的振幅放大电路2，包括：被施加了电压Vm的Vm直流电源线7、被施加了电压Vh的Vh直流电源线6、输入在接地电压和电压Vm之间变动的脉冲信号的反相电路16、输入在电压Vm和电压Vh之间变动的脉冲信号的反相电路15、由栅极接收来自反相电路15的输出的P沟道MOSFET17、其栅极接在Vm直流电源线7上的P沟道MOSFET18、其栅极接在Vm直流电源线7上的N沟道MOSFET19、由栅极接收来自反相电路16的输出的N沟道MOSFET20。以P沟道MOSFET18和N沟道MOSFET19的共同连接点为输出端子。

主权项

1、一种振幅放大电路，其中：包括：加上了第一电位的第一直流电源线、加上了第二电位的第二直流电源线、加上了所述第一电位及所述第二电位之间的中间电位的中间电源线、以在所述第一电位和所述中间电位之间变化的第一脉冲信号为输入并在由所述第一直流电源线及中间电源线供来的电源下工作的第一反相电路、以对所述第一脉冲信号进行电平平移并将在所述第二电位和所述中间电位之间变化的第二脉冲信号输出的电平平移电路的输出信号为输入且在由所述第二直流电源线及中间电源线供来的电源下工作的第二反相电路、接在所述第二直流电源线和所述第一直流电源线之间且由它的栅极接收来自所述第二反相电路的输出信号的一极性第一MOSFET、接在所述第一MOSFET和所述第一直流电源线之间且它的栅极接在所述中间电源线上的一极性第二MOSFET、接在所述第二MOSFET和所述第一直流电源线之间且由它的栅极接收来自所述第一反相电路的输出信号的逆极性第三MOSFET及接在所述第二MOSFET和所述第三MOSFET之间且它的栅极接在所述中间电源线上的逆极性第四MOSFET，以所述第二MOSFET和所述第四MOSFET的共同连接节点为输出端子。