[发明专利]含有机硅烷化合物的绝缘膜用材料及其制法及半导体装置有效
| 申请号： | 03104310.0 | 申请日： | 2003-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN1437228A | 公开（公告）日： | 2003-08-20 |
| 发明（设计）人： | 原大治;吉田圭介 | 申请（专利权）人： | 东粟株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/312 | 分类号： | H01L21/312;C07F7/18;C01B33/12;H01B3/18 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 胡烨 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了适用于半导体装置用层间绝缘材料的、由仲烃基或叔烃基与硅原子直接相连的硅烷化合物通过化学气相成长法形成的绝缘膜用材料、由该材料形成的绝缘膜及使用该绝缘膜的半导体装置。所述绝缘膜用材料含通式(1)：表示的有机硅烷化合物，该材料通过使有机卤化物与金属锂反应生成叔碳原子和锂直接连接的有机锂，再使该有机锂与卤代烷氧基硅烷或四烷氧基硅烷反应而制得。式中，R1、R2、R3表示碳原子数1～20的烃基，R1、R2、R3可相互结合形成环状结构，R4表示碳原子数1～10的烃基或氢原子，n表示1～3的整数。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 硅烷 化合物 绝缘 用材 料及 制法 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.绝缘膜用材料，其特征在于，由化学气相成长法形成，包含具有至少一个仲烃基及/或叔烃基与硅原子直接相连的结构的有机硅烷化合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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