[发明专利]半导体薄膜的形成方法和半导体薄膜的形成装置无效
| 申请号： | 03104326.7 | 申请日： | 2003-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN1441463A | 公开（公告）日： | 2003-09-10 |
| 发明（设计）人： | 松村正清;西谷幹彦;木村嘉伸;十文字正之;谷口幸夫;平松雅人;中野文樹 | 申请（专利权）人： | 株式会社液晶先端技术开发中心 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 | 代理人： | 徐申民 |
| 地址： | 日本国神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种在绝缘材料所构成的基层上形成结晶性良好的半导体薄膜的形成方法及半导体薄膜的形成装置。该半导体薄膜的形成装置包括：作为光源的准分子镭射(excimerlaser)1；使从该准分子镭射1射出的光的光强度均匀分布的均匀器(homogenizer)3；以光强度分布经均匀器3均匀化后的光的振幅在光相对于非晶质基板9的相对运动方向增加的方式进行振幅调变的振幅调变光罩5；将振幅经振幅调变屏蔽5调变过的光，以可得到预定的照射能量的方式投射在形成于非晶质基板9上的非单结晶半导体层10上的投射光学系6；在光的照射面内设置温度低的点的移相器(phaseshifter)8；以及使光与非晶质基板9相对运动而可进行X、Y方向扫描的基板台。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 薄膜 形成 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体薄膜的形成方法，其特征在于，在绝缘材料所构成的基层上形成非单结晶半导体层，然后以光照射所述非单结晶半导体层，并使所述光与所述基层相对运动，而使所述非单结晶半导体层结晶化，包括以下步骤：使所述光的光强度分布均匀化；以所述光强度分布经均匀化后的光的振幅在所述光相对于所述基层的相对运动方向增加的方式进行振幅调变；将所述振幅经调变过的光，投射在形成于所述基层上的所述非单结晶半导体层上；以及在所述光的照射面内设置温度低的点，以生成结晶成长的起点，然后沿着所述光相对于所述基层的相对运动方向形成结晶而形成单结晶领域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
