[发明专利]强感应体薄膜元件及制造方法、薄膜电容器及压电调节器有效
| 申请号： | 03104332.1 | 申请日： | 2003-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN1435878A | 公开（公告）日： | 2003-08-13 |
| 发明（设计）人： | 喜多弘行 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/31;H01L27/00;H01G4/06;H01G4/33 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 赵国华 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的压电调节器的制造方法，包括以下工序：在基板1上形成第1电极膜2，在该第1电极膜2上形成强感应体薄膜3，在该强感应体薄膜3上形成无机保护膜4。然后，在含氧氛围下对无机保护膜4与强感应体薄膜3进行热处理，通过热处理、强感应体薄膜3成分的扩散及无机保护膜4的氧化、在强感应体薄膜3表面形成的氧化扩散层6上形成第2电极膜8。按照这一方法，不会发生强感应体薄膜表面的变质层及裂纹，使强感应特性得到改善。 | ||
| 搜索关键词： | 感应 薄膜 元件 制造 方法 电容器 压电 调节器 | ||
【主权项】：
1.一种强感应体薄膜的制造方法，其特征在于，包括以下工序：在基板上形成第1电极膜，在所述第1电极膜上形成强感应体薄膜，在所述强感应体薄膜上形成无机保护膜，在含氧氛围下对所述无机保护膜及所述强感应体薄膜进行热处理，以及通过热处理、使所述无机保护膜氧化、同时在所述强感应体薄膜的构成成分的一部分扩散生成的氧化扩散层上形成第2电极膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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