[发明专利]在接触孔中形成的配线分层结构，配线分层结构的制作方法，以及具有该配线分层结构的显示装置无效
| 申请号： | 03104380.1 | 申请日： | 2003-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN1442838A | 公开（公告）日： | 2003-09-17 |
| 发明（设计）人： | 長谷川勲;鈴木浩司 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | G09G3/20 | 分类号： | G09G3/20 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 张政权 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 通过使用氢氟酸缓冲液进行蚀刻，在SiO2制成的栅极绝缘薄膜和形成于栅极绝缘薄膜上的由SiN制成的层间绝缘薄膜中形成接触孔。在该接触孔中，形成一电极包括：由耐熔性金属制成的第一保护金属层；形成于第一保护金属层上且由电阻低于耐熔性金属的电阻的金属制成的配线层；以及由耐熔性金属制成的且厚度大于栅极绝缘薄膜厚度的第二保护金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 形成 分层 结构 制作方法 以及 具有 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种在形成于绝缘薄膜中的接触孔中提供的配线分层结构，在所述绝缘薄膜中，由不同材料制成的第一绝缘层和第二绝缘层依次层叠，其特征在于所述配线分层结构包括：第一金属层，它由耐熔性的金属制成；配线层，它形成于所述第一金属层上，且由电阻比耐熔性金属的电阻低的金属制成；以及，第二金属层，它形成于所述配线层上，由耐熔性金属制成使得厚度厚于所述第一金属层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三洋电机株式会社，未经三洋电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03104380.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
