[发明专利]具有冗余结构的薄膜磁介质存储装置无效
| 申请号： | 03104399.2 | 申请日： | 2003-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN1467740A | 公开（公告）日： | 2004-01-14 |
| 发明（设计）人： | 日高秀人 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 相对配置成行列状的多个正规存储单元(MC)，虚拟存储单元(DMC)配置成和正规存储单元(MC)共有存储单元列且形成虚拟存储单元行。当正规存储单元(MC)和虚拟存储单元(DMC)出现不良存储单元时，使用冗余列(11C)，以存储单元列为单位进行替换修复。冗余列(11C)不仅包含修复正规存储单元(MC)的备用存储单元(SMC)，还包含修复虚拟存储单元(DMC)的备用虚拟存储单元(SDMC)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 冗余 结构 薄膜 介质 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜磁介质存储装置，其特征在于，包括：配置成行列形状，且各自具有与磁写入的数据对应的电阻的多个存储单元；各自具有规定的电阻且配置成与上述多个存储单元之间共有上述行和列的一方并形成上述行和列的另一方的多个虚拟存储单元；根据从上述多个存储单元中选出的1个和上述多个虚拟存储单元中的1个的电阻值的差进行数据读出的数据读出电路；以上述行和列的上述一方为单位对上述多个存储单元和上述多个虚拟存储单元中的不良的存储单元进行替换的冗余单元，上述冗余单元包含形成上述行和列的上述一方的多个第1备用存储单元和至少1个第2备用存储单元，为了替换上述多个存储单元中的上述不良的存储单元，上述多个第1备用存储单元配置成与上述多个存储单元之间共有上述行和列的上述另一方，为了替换上述多个虚拟存储单元中的上述不良的存储单元，上述第2备用存储单元配置成与上述多个虚拟存储单元之间共有上述行和列的上述另一方。
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