[发明专利]非易失性半导体储存器件及其数据读出方法无效
| 申请号： | 03104429.8 | 申请日： | 2003-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN1438649A | 公开（公告）日： | 2003-08-27 |
| 发明（设计）人： | 圆山敬史;小岛诚 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C7/00 | 分类号： | G11C7/00;G11C16/26 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非易失性半导体存储器件及其数据读出方法，在使用了差动传感放大电路的动态传感传感方式的非易失性半导体存储器件中，即使让传感放大电路的起动时刻拖后，也能高精度地从存储单元中读出数据来。通过字线WL将存储单元1接到位线BL0上，同时通过基准用字线RWL将基准单元2接到互补位线BL1上，由传感放大器SA放大该位线BL0及互补位线BL1间的电位差，在从存储单元1中读出数据的时候，在刚开始读出那一数据的时候由预充电电路4将两条位线BL0、BL1都预充电到规定的电位上，在包括该预充电的那一段时间及其之后或者在预充电结束之后，由位线电流供给电路3向位线BL0及互补位线BL1提供等量的电流。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 储存 器件 及其 数据 读出 方法 | ||
【主权项】：
1、一种非易失性半导体存储器件，其中：包括：接在行方向上的存储单元的控制栅极上的字线、接在列方向上的存储单元的漏极一侧的第一位线、接在所述行方向上的基准单元的栅极上的基准用字线、接在所述列方向上的基准单元的漏极一侧的第二位线、将所述第一位线及第二位线的电位差放大的放大器、在刚开始读数据的时候将所述第一及第二位线预充电到规定电位的预充电机构以及在进行所述读出操作时向所述第一及第二位线提供等量的电流的位线电流供给机构。
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