[发明专利]半导体存储器中的自动预充电控制电路及其方法有效

专利信息
申请号: 03104482.4 申请日: 2003-02-17
公开(公告)号: CN1448953A 公开(公告)日: 2003-10-15
发明(设计)人: 朴祥均;李镐哲 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C11/4063 分类号: G11C11/4063;G11C11/4091
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 邸万奎,黄小临
地址: 暂无信息 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种半导体存储器中的自动预充电控制电路及其方法,其中自动预充电起始点可以根据至少一个控制信号、包括时钟频率信息的至少一个控制信号、频率和/或等待时间信息、或从模式寄存器设置命令接收的等待时间信号而改变。包括:控制电路,用于接收写信号、时钟信号以及至少一个控制信号,控制信号包括时钟频率信息和等待时间信息中的至少一个,并输出至少一个通道信号;自动预充电脉冲信号驱动器,用于接收至少一个通道信号、写信号和使能信号,并产生指明自动预充电操作的起始点的自动预充电脉冲信号;以及自动预充电模式使能电路,用于接收时钟信号、自动预充电命令、有效信号、和自动预充电脉冲信号,并产生使能信号。
搜索关键词: 半导体 存储器 中的 自动 充电 控制电路 及其 方法
【主权项】:
1.一种自动预充电控制电路,用于响应于包括时钟频率信息的至少一个控制信号,改变半导体器件的写恢复时间。
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