[发明专利]一种厚膜SOI场效应晶体管无效
| 申请号： | 03104662.2 | 申请日： | 2003-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN1523678A | 公开（公告）日： | 2004-08-25 |
| 发明（设计）人： | 杨胜齐;何进;黄如;王文平;张兴;王阳元 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100871北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种厚膜SOI场效应晶体管，目的是提供一种既可以实现硅膜全耗尽，又可以克服SOI器件固有的Kink效应，同时还能够增加器件的驱动电流，提高速度，改善短沟性能的厚膜SOI场效应晶体管。本发明的技术方案为：一种厚膜SOI场效应晶体管，它包括源区、漏区、栅氧化层、埋氧化层、背栅、硅膜、衬底及沟道在内的厚膜SOI场效应晶体管的本体，在靠近所述背栅的界面设有一个相反掺杂的异型硅岛。本发明不仅克服了厚膜SOI场效应晶体管所固有的Kink效应，器件的驱动电流也大大增加，使得器件工作速度大大提高。异型硅岛的设计允许其厚度、宽度、掺杂浓度以及位置有较大波动，为厚膜SOI器件提供了一个更广阔的设计空间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 soi 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1、一种厚膜SOI场效应晶体管，它包括源区、漏区、栅氧化层、埋氧化层、背栅、硅膜、衬底及沟道在内的厚膜SOI场效应晶体管的本体，其特征为：在靠近所述背栅的界面设有一个相反掺杂的异型硅岛。
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