[发明专利]一种非对称栅场效应晶体管无效
| 申请号： | 03104666.5 | 申请日： | 2003-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN1523674A | 公开（公告）日： | 2004-08-25 |
| 发明（设计）人： | 杨胜齐;何进;黄如;王文平;张兴;王阳元 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100871北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非对称栅场效应晶体管，目的是提供一种非对称栅场效应晶体管，它可以形成很好的沟道电场分布和电子速度分布，抑制器件的短沟效应、同时提高沟道内载流子的速度，提高器件的驱动电流、跨导及截止频率，且利于小尺寸器件的制作。本发明的技术方案是：一种非对称栅场效应晶体管，包括栅氧化层、源端、漏端和衬底在内的场效应晶体管本体，在衬底的两端置有所述源端和漏端，在源端和漏端之间的衬底上置有栅氧化层，栅氧化层分为两部分，一部分靠近源端，一部分靠近漏端，靠近源端部分的栅氧化层厚度大于靠近漏端的栅氧化层厚度。本发明非对称栅场效应晶体管在特征尺寸缩小以后，仍然可以有效地抑制器件的DIBL效应，改善器件的短沟道特性，是深亚微米器件的一个很好选择。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对称 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1、一种非对称栅场效应晶体管，包括栅氧化层、源端、漏端和衬底在内的场效应晶体管本体，在所述衬底的两端置有所述源端和漏端，在所述源端和漏端之间的衬底上置有所述栅氧化层，其特征在于：所述栅氧化层分为两部分，一部分靠近源端，一部分靠近漏端，靠近源端部分的栅氧化层厚度大于靠近漏端的栅氧化层厚度。
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