[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 03104707.6 | 申请日： | 2003-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN1444280A | 公开（公告）日： | 2003-09-24 |
| 发明（设计）人： | 林正浩 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种能够在同一个衬底上具有不同驱动电压的高压晶体管和低压晶体管的半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括具有第一导电型的半导体衬底(10)；在半导体衬底上形成的具有第二导电型的第一势阱(20)；在第一势阱内形成的具有第一导电型的第二势阱(30)；在第一势阱内形成的具有第二导电型的第三势阱(40)；在第二势阱形成的具有第二导电型的低压晶体管(100NL)；在第三势阱形成的具有第一导电型的低压晶体管(200PL)；以及在第一势阱形成的具有第一导电型的高压晶体管(400PH)。第二势阱(30)及第三势阱(40)中的杂质浓度比第一势阱(20)中的杂质浓度高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：具有第一导电型的半导体衬底；在所述半导体衬底上形成的具有第二导电型的第一势阱；在所述第一势阱内形成的具有所述第一导电型的第二势阱；在所述第一势阱内形成的具有所述第二导电型的第三势阱；在所述第二势阱形成的具有所述第二导电型的低压晶体管；在所述第三势阱形成的具有所述第一导电型的低压晶体管；以及在所述第一势阱形成的具有所述第一导电型的高压晶体管，其中，所述第二势阱及所述第三势阱中的杂质浓度高于所述第一势阱中的杂质浓度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工爱普生株式会社，未经精工爱普生株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03104707.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：冷却元件
- 下一篇：用于将烟卷连结成一体的方法和装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
