[发明专利]一种闸极介电层与改善其电性的方法及金氧半电晶体有效
| 申请号： | 03105065.4 | 申请日： | 2003-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN1527362A | 公开（公告）日： | 2004-09-08 |
| 发明（设计）人： | 林友民;麦凯玲;姚亮吉;陈世昌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/4757;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种改善闸极介电层的电性的方法，其中包括以下步骤：提供一半导体基底；形成一闸极介电层于上述半导体基底表面，其中上述闸极介电层包括氧化铪(HfO2)；实施一含氢气体处理；以及实施一含氧气体处理。一种具有高介电常数的闸极介电层的金氧半电晶体，其中包括：一半导体基底；一高介电常数的闸极介电层，设置于上述半导体基底表面。本发明主要目的在于提供一种新材质的闸极介电层以及一种改善闸极介电层的电性的方法，不仅提供良好的闸极介电层，更可使该闸极介电层符合半导体组件设计上的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 闸极介电层 改善 方法 金氧半 电晶体 | ||
【主权项】：
1、一种改善闸极介电层的电性的方法，其特征在于包括以下步骤：提供一半导体基底；形成一闸极介电层于上述半导体基底表面，其中上述闸极介电层包括氧化铪(HfO2)；实施一含氢气体处理；以及实施一含氧气体处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03105065.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
