[发明专利]薄膜光光上转换图象显示装置及制备方法无效
| 申请号： | 03105077.8 | 申请日： | 2003-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN1438714A | 公开（公告）日： | 2003-08-27 |
| 发明（设计）人： | 熊绍珍;吴春亚;赵颖;李娟;张晓丹;杨广华;朱峰;熊文娟 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | H01L31/12 | 分类号： | H01L31/12;H01L31/04;H01L31/18;G09F9/00 |
| 代理公司： | 天津市学苑有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 赵尊生 |
| 地址： | 30007*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明是一种薄膜光光上转换图象显示装置，本发明将Si基薄膜光电池及有机薄膜发光二极管(OLED)直接耦合构成一种新型光光转换装置。将光电传感器Si基薄膜光电池和以顶部为高透过率透明电极的顶发射OLED反向串接构成复合装置，由Si基薄膜光电池将输入光信号转换成的光生电流直接耦合到OLED发出另一波长的可见光，不同的Si基薄膜光电池可实现不同波段的光响应。本发明可用于光探测、寻像器、夜视、光图象转换的信息处理、光子学平行信号处理等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 光光 转换 图象 显示装置 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜光光上转换图象显示装置，其特征在于它包括Si基薄膜光电池和一个有机薄膜发光二极管组成；Si基薄膜光电池与有机薄膜发光二极管经由金属电极直接相连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
