[发明专利]一种场效应晶体管有效
| 申请号： | 03105084.0 | 申请日： | 2003-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN1527399A | 公开（公告）日： | 2004-09-08 |
| 发明（设计）人： | 黄如;王文平;张兴;王阳元 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100871北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种场效应晶体管，目的是提供一种短沟道特性得到改善的场效应晶体管。本发明的技术方案为：一种场效应晶体管，包括具有栅、源端、漏端、沟道及衬底在内的场效应晶体管本体，所述场效应晶体管的源端与漏端为SiC材料。本发明的场效应晶体管可以很好地抑制器件的DIBL效应，大大降低器件的阈值电压漂移和关态泄漏电流，提高器件的电流开关比，表现出了优于常规结构场效应晶体管的特性，改善了器件的短沟道性能，具有巨大的应用潜力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1、一种场效应晶体管，包括具有栅、源端、漏端、轻掺杂漏(LDD)、沟道及衬底在内的场效应晶体管本体，其特征在于：所述场效应晶体管的源端与漏端为SiC材料。
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