[发明专利]一种组合栅场效应晶体管有效
| 申请号： | 03105085.9 | 申请日： | 2003-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN1527398A | 公开（公告）日： | 2004-09-08 |
| 发明（设计）人： | 杨胜齐;刘文安;黄如;王文平;张兴;王阳元 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100871北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种场效应晶体管，目的是提供一种低静态功耗、低关态电流、高电流开关比的场效应晶体管器件。本发明的技术方案为：一种场效应晶体管，包括栅、源端、漏端和衬底在内的场效应晶体管本体，所述源端和漏端设于所述衬底的两端，所述栅设于所述源端和漏端之间的衬底，所述栅分为三部分，分别为靠近源端部分栅，靠近漏端部分栅，和中间部分栅，所述中间部分栅为多晶硅材料。对本发明的模拟结果表明：适当提高靠近源端栅材料的功函数，降低靠近漏端栅材料的功函数能够显著降低器件的关态泄漏电流，减小器件的静态功耗，提高器件的电流开关比，当源、漏端的功函数为一定值时，mpolypoly结构和mpolym结构的由DIBL效应引起的阈值电压漂移有一个最小值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 组合 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1、一种场效应晶体管，包括栅、源端、漏端和衬底在内的场效应晶体管本体，所述源端和漏端设于所述衬底上的两端，所述栅设于所述源端和漏端之间的衬底上，其特征在于：所述栅分为三部分，分别为靠近源端部分栅，靠近漏端部分栅，和中间部分栅，所述中间部分栅为多晶硅材料。
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