[发明专利]光掩模的制造方法和使用该光掩模的半导体装置制造方法

摘要

本发明的课题是提供能进行精度更高的是否合格的判断的光掩模的制造方法。本发明的光掩模的制造方法包含下述步骤：在光掩模上作成掩模图案(ST.1)；测定作成的掩模图案的尺寸(ST.2、ST.3)；根据尺寸测定的结果，求出在被曝光体上曝光掩模图案时的曝光余量；判断求出的曝光余量是否满足规定的曝光余量；根据是否满足曝光余量的判断结果，判断光掩模是否合格；该制造方法的特征在于：尺寸测定包含掩模图案中在被曝光体上曝光该掩模图案时曝光余量小的临界图案部的尺寸测定。

主权项

1.一种光掩模的制造方法，包含：在光掩模上作成掩模图案；测定上述作成的掩模图案的尺寸；根据上述尺寸测定的结果，求出在被曝光体上曝光上述掩模图案时的曝光余量，判断上述求出的曝光余量是否满足规定的曝光余量；根据是否满足上述曝光余量的判断结果，判断上述光掩模是否合格；其特征在于：上述尺寸测定包含上述掩模图案中在上述被曝光体上曝光该掩模图案时曝光余量小的临界图案部的尺寸测定。