[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法

摘要

一种低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，在一绝缘基板上形成欲作为N－TFT和P－TFT的多晶硅岛状物；依序沉积一栅极绝缘层和一栅极金属层；图案化栅极金属层以形成N－TFT的栅极金属和P－TFT的栅极金属罩；对多晶硅岛状物进行N－离子植入步骤，形成N－TFT的N－区域；利用一光阻图案定义出P－TFT的栅极金属、以及N－TFT的LDD结构；对多晶硅岛状物进行N+离子植入，形成N－TFT的S/D区域，蚀刻未被光阻图案遮盖住的栅极金属罩部分，形成P－TFT的栅极金属；以光阻图案和P－TFT的栅极金属作为罩幕，对多晶硅岛状物进行P+离子植入，形成P－TFT的S/D区域；剥除光阻图案；形成N－TFT和P－TFT的S/D金属电极；本发明可减少光罩的使用数目且所制作的N－TFT具有LDD结构，可同时提高驱动电路的可靠度以及降低像素的漏电流，降低成本提升良率。

主权项

1.一种低温多晶硅薄膜晶体管的CMOS制作方法，其特征是：包括：在一绝缘基板上形成欲作为一N-TFT和一P-TFT的多晶硅岛状物；于该绝缘基板上依序沉积一栅极绝缘层和一栅极金属层；图案化该栅极金属层，以形成该N-TFT的栅极金属和该P-TFT的栅极金属罩，其中，该栅极金属罩将位于整个该P-TFT区域的该多晶硅岛状物的部份完全罩住；以该N-TFT的栅极金属和该P-TFT的栅极金属罩作为罩幕，对该多晶硅岛状物进行N-离子植入步骤，形成该N-TFT的N-区域；形成一光阻图案于该N-TFT的栅极金属和该P-TFT的栅极金属罩上，其中该光阻图案的一部份定义出该P-TFT的栅极金属，而该光阻图案的另一部份罩覆住该N-TFT的栅极金属以及邻接的部份栅极绝缘层表面，以定义出该N-TFT的LDD结构；对该多晶硅岛状物进行N+离子植入，形成该N-TFT的S/D区域，蚀刻未被该光阻图案遮盖住的该栅极金属罩部份，形成该P-TFT的栅极金属；以该光阻图案和该P-TFT的栅极金属作为罩幕，对该多晶硅岛状物进行P+离子植入，形成该P-TFT的S/D区域；剥除该光阻图案；以及形成该N-TFT和该P-TFT的S/D金属电极。