[发明专利]共享全局性字线磁性随机存取存储器有效
| 申请号： | 03106026.9 | 申请日： | 2003-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN1440037A | 公开（公告）日： | 2003-09-03 |
| 发明（设计）人： | H·李;F·A·佩尔纳 | 申请（专利权）人： | 惠普公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L43/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明,梁永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明包括提供共享全局性字线MRAM结构的装置和方法。该MRAM结构包括取向为第一方向的第一位线导线。取向为第二方向的第一读出线导线。第一存储单元物理连接于第一位线导线和第一读出线导线之间。全局性字线基本取向为第二方向，而且磁性耦合于第一存储单元。第二位线导线基本取向为第一方向。第二读出线导线基本取向为第二方向。第二存储单元物理连接于第二位线导线和第二读出线导线之间。全局性字线也磁性耦合于第二存储单元。第一存储单元和第二存储单元可以是MRAM器件。MRAM器件的逻辑状态可由MRAM器件的磁化取向确定。 | ||
| 搜索关键词： | 共享 全局性 磁性 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
1、一种共享全局性字线MRAM结构，包括：取向为第一方向的第一位线导线[342]；取向为第二方向的第一读出线导线[360]；物理连接于第一位线导线[342]和第一读出线导线[360]间的第一存储单元[322]；基本取向为第二方向而且磁性耦合于第一存储单元[322]的全局性字线[310]；基本取向为第一方向的第二位线导线[352]；基本取向为第二方向的第二读出线导线[362]；及物理连接于第二位线导线[352]和第二读出线导线[362]间的第二存储单元[332]；其中全局性字线[310]又磁性耦合于第二存储单元[332]。
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