[发明专利]MOS晶体管组件有效
| 申请号： | 03106080.3 | 申请日： | 2003-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN1442907A | 公开（公告）日： | 2003-09-17 |
| 发明（设计）人： | M·曾德尔;F·赫勒;R·兰蒂尔 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 赵辛 |
| 地址： | 联邦德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 为了尽可能的降低MOS晶体管组件(10)的接通电阻，应使雪崩击穿区(A)形成于沟槽结构(30)的终端区(30u)。另外一种可行的方法或此外，是在位于源极区(S)及汲极区(D)之间与背对闸电极(G)的闸绝缘(GOX)相邻的区域形成第一种导电类型的局部最大掺杂物质浓度区(K)。 | ||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 组件 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽结构或具沟槽结构之沟槽类型的MOS晶体管组件，具有一个在一半导体区(20)内朝第一方向伸展的沟槽结构(30)其中：--MOS晶体管组件(10)的雪崩击穿区(A)形成于沟槽结构(30)的终端区(30u)或下方区(30u)尤其是次区(30b)，以此方式形成或可以形成一特别低的MOS晶体管组件(10)的接通电阻。
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