[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 03106093.5 | 申请日： | 2003-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN1445847A | 公开（公告）日： | 2003-10-01 |
| 发明（设计）人： | 山谷一史;下村光司 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/60;H01L21/28;H01L21/768;H01L21/66 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置及其制造方法，在硅基板(1)上形成由栅极(10)以及高浓度杂质扩散层(12)等构成的晶体管后，形成与该晶体管电连接的第2布线(22)，然后在硅基板(1)上形成等离子氮化膜(23)。然后在等离子氮化膜(23)上分别形成抵达第2布线(22)的第1凹部(24)以及第2凹部(25)，这样形成由第2布线(22)中的第1凹部(24)的下侧区域构成的产品用电极端子、和由第2布线(22)中的第2凹部(25)的下侧区域构成的测试用电极端子。然后在第1凹部(24)中的产品用电极端子上形成金凸点(30)。从而可以稳定地对在与晶体管电连接的电极端子上设置金属凸点的半导体装置实施老化筛选。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征是包括在基板上形成的晶体管；在所述基板上形成、在其表面上设置了金属凸点并且与所述晶体管电连接的产品用电极端子；以及在所述基板上形成、与所述晶体管电连接的晶圆级老化筛选专用的测试用电极端子。
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