[发明专利]生产松弛SiGe基质的方法无效
| 申请号： | 03106094.3 | 申请日： | 2003-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN1444253A | 公开（公告）日： | 2003-09-24 |
| 发明（设计）人： | 马哲申;道格拉斯·詹姆斯·特威滕;许胜籘;李宗霑 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/265;H01L21/324 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 程金山 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种松弛SiGe基质的生产方法，其使用分子氢注入法来形成具有高锗含量的松弛硅锗层，该方法包括：在硅基质上提供单晶硅缓冲层；提供一层覆盖单晶硅缓冲层的单晶硅锗(Si1－xGex)层；用离子化的分子氢(H2+)注入单晶硅锗(Si1－xGex)层；至少退火单晶硅锗(Si1－xGex)层；和作为对退火的响应，将单晶硅锗(Si1－xGex)层转换为松弛Si1－xGex层。 | ||
| 搜索关键词： | 生产 松弛 sige 基质 方法 | ||
【主权项】：
1、一种松弛SiGe基质的生产方法，其使用分子氢注入法来形成具有高锗含量的松弛硅锗层，该方法包括：在硅基质上提供单晶硅缓冲层；提供一层覆盖单晶硅缓冲层的单晶硅锗(Si1-xGex)；用离子化的分子氢(H2+)注入单晶硅锗(Si1-xGex)层；至少退火单晶硅锗(Si1-xGex)层；和作为对退火的响应，将单晶硅锗(Si1-xGex)层转换为松弛Si1-xGex层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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