[发明专利]使用单一光罩于多重蚀刻步骤的微影制程无效
| 申请号： | 03106121.4 | 申请日： | 2003-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN1523638A | 公开（公告）日： | 2004-08-25 |
| 发明（设计）人： | 刘大有;高金字;张瑞宗;许翼材 | 申请（专利权）人： | 中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明主要是提供一光学微影制程中，其中光阻在曝光后先经过烘烤才进行显影，使得光阻的转移图案的周围会产生光阻残留物。由于光阻残留物的厚度较光阻层的厚度为低，这种显影后的光阻可以提供多重次蚀刻制程的遮罩。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 单一 多重 蚀刻 步骤 微影制程 | ||
【主权项】：
1.一种使用单一光罩用于多重蚀刻的微影制程，其特征在于，包含：提供一底材以及一光阻层位于该底材上；以一光罩对该光阻层曝光；烘烤该光阻层；以及对该光阻层进行显影以形成一多重蚀刻的遮罩。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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