[发明专利]半导体存储器有效

专利信息
申请号: 03106307.1 申请日: 2003-02-21
公开(公告)号: CN1471170A 公开(公告)日: 2004-01-28
发明(设计)人: 森郁;山田伸一 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: H01L27/10 分类号: H01L27/10;G11C11/34
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 付建军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种操作控制电路把响应读请求、写请求或刷新请求而激活之读出放大器的非激活定时,设置为读出放大器为了响应刷新请求而输出之可能的最大信号量传送到存储器单元的定时。把读出放大器的活化周期调整为刷新操作,能够减少存取时间。一种刷新控制电路在延长产生刷新请求的周期之前,连续产生预定数目的刷新请求,以刷新所有存储器单元。连续发生刷新请求时,能够降低刷新频率,以降低功率消耗。结果,能够缩短存取时间而不增加待用模式期间的功率消耗。
搜索关键词: 半导体 存储器
【主权项】:
1.一个半导体存储器,包括:多个需要刷新以保持数据的存储器单元;若干读出放大器,用于放大要写到所述存储器单元之数据中的信号量;一个操作控制电路,用于激活所述读出放大器,以响应对所述存储器单元的读请求、写请求和刷新请求,以及用于把所述读出放大器的非激活定时,设置为传送到所述存储器单元的最大可能信号量对应的定时,该信号通过读出放大器操作来放大,以响应刷新请求;以及一个刷新控制电路,用于周期地产生刷新请求信号作为刷新请求,以及在连续地产生了预定数目的所述刷新请求而没有所述读请求或所述写请求的介入之后,使产生所述刷新请求信号的周期延长,使得存储器单元全部刷新。
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