[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 03106345.4 | 申请日： | 2003-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN1477718A | 公开（公告）日： | 2004-02-25 |
| 发明（设计）人： | 相原一洋 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/108 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在SiGe结晶膜衬底上形成具有作为沟道区功能的Si结晶膜。还有，在Si结晶膜上形成具有作为沟道区功能的SiGe结晶膜。还有，在SiGe结晶膜及Si结晶膜的两侧形成具有作为源/漏区功能的Si结晶膜。还有，在SiGe结晶膜上，通过栅绝缘膜形成栅电极。按照上述结构，SiGe结晶膜抑制了Si结晶膜的自然氧化。其结果是，得到消除因Si结晶膜表面的自然氧化引起的在Si结晶膜中的导电性降低而产生的问题的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1、一种包括半导体衬底的半导体器件，其特征在于：半导体衬底具有：流过电子的导电部；通过与该导电部的下表面相接，使得在构成该导电部的半导体中产生晶格畸变，使流过该导电部的电子的迁移率提高的迁移率提高部；以及通过一边构成上述半导体衬底的表面一边覆盖上述导电部的上表面，具有抑制上述导电区被自然氧化的功能的氧化抑制部。
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