[发明专利]电子发射元件、电子源和图像形成装置的制造方法无效
| 申请号： | 03106480.9 | 申请日： | 2003-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN1441451A | 公开（公告）日： | 2003-09-10 |
| 发明（设计）人： | 荒井由高;水野祐信;岩城孝志;糠信恒树;竹上毅 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 其特征在于：具有：在基体上配置一对电极的步骤；配置包含吸光材料的高分子膜，使其连接所述电极之间的步骤；通过向所述包含吸光材料的高分子膜照射光，使该高分子膜低电阻化的步骤；通过使电流流过通过使所述高分子膜低电阻化而得到的膜，在该膜上形成间隙的步骤。提供能简单步骤，并且能进行电子发射特性的改善的电子发射元件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 发射 元件 图像 形成 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.电子发射元件的制造方法，具有以下步骤：(A)提供在其上配置了一对电极和连接所述一对电极的高分子膜的基体，其中，所述高分子膜包含高分子和具有吸光特性的物质；(B)对所述高分子膜照射光，使该高分子膜低电阻化；(C)在使所述高分子膜低电阻化而得到的膜上形成间隙。
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