[发明专利]半导体存储器件的制造方法有效
| 申请号： | 03106482.5 | 申请日： | 2003-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN1479366A | 公开（公告）日： | 2004-03-03 |
| 发明（设计）人： | 彦坂幸信 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/8242;H01L27/10;H01L27/04;H01L27/108 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李德山 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体存储器件的制造方法。该器件的半导体衬底上提供有电容器，电容器具有以下叠层结构：第一导电膜制成的下电极、电介质膜制成的电容器电介质膜以及第二导电膜制成的上电极。该方法包括以下步骤：形成绝缘膜，在绝缘膜上形成电容器，在绝缘膜上形成电介质监控器，电介质监控器具有与电容器相同的材料并具有相同的层结构，在形成电容器的步骤中间测量电介质监控器的特性，并根据电介质监控器特性的测量结果评估电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.在半导体衬底上提供有电容器的半导体存储器件的制造方法，电容器具有由第一导电膜制成的下电极、电介质膜制成的电容器电介质膜以及第二导电膜制成的上电极构成的叠层结构，该方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成绝缘膜；在绝缘膜上形成电容器；在绝缘膜上形成电介质监控器，电介质监控器由与电容器相同的材料制成并具有相同的层结构；在形成电容器的工艺中间测量电介质监控器的特性；以及根据电介质监控器特性的测量结果评估电容器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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