[发明专利]能按照自基准方式读出数据的薄膜磁性体存储装置无效
申请号: | 03106631.3 | 申请日: | 2003-02-27 |
公开(公告)号: | CN1467741A | 公开(公告)日: | 2004-01-14 |
发明(设计)人: | 大石司;日高秀人 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | G11C11/15 | 分类号: | G11C11/15;G11C7/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 刘宗杰;叶恺东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 数据读出时,来自电流供给晶体管(105)的电流通过选择存储单元及数据线(DIO)。另外,不破坏存储数据的电平大小的偏磁场被加在选择存储单元上。通过施加偏磁场,用读出放大器(120)放大选择存储单元的电阻对应于存储数据电平的极性变化前后的数据线电压差,只对选择存储单元进行存取,进行数据读出。另外,由于在数据线(DIO)和读出放大器(120)之间用电容器(110)进行绝缘,所以能与存储单元的磁化特性隔离,使读出放大器在最佳输入电压范围内工作。 | ||
搜索关键词: | 按照 基准 方式 读出 数据 薄膜 磁性 存储 装置 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜磁性体存储装置,其特征在于:备有以下部分,分别使对应于磁性写入的存储数据的方向沿着易磁化轴磁化,有对应于磁化方向的电阻的多个存储单元;在数据读出时,通过上述多个存储单元中的被选择为数据读出对象的选择存储单元,与固定电压进行电气耦合的数据线;至少在上述数据读出时将上述数据线与第一规定电压耦合的电流供给电路;对上述选择存储单元施加沿着难磁化轴的偏磁场用的偏磁场施加单元;上述数据读出时,根据对上述选择存储单元施加上述偏磁场前后的上述数据线的电压,生成对应于上述选择存储单元的存储数据的读出数据的数据读出电路;上述数据读出电路包括设置在第一读出输入结点和上述数据线之间,将上述偏磁场的施加前后上述数据线的电压变化传递给上述第一读出输入结点用的耦合电容;上述数据读出时,在施加上述偏磁场之前将第二读出输入结点的电压设定为与上述第一读出输入结点相同的电平用的电压传递单元;保持上述第二读出输入结点的电压用的电压保持单元;放大上述第一及第二读出输入结点的电压差的第一电压放大器;以及上述数据读出时,根据上述偏磁场施加后的上述第一电压放大器的输出,生成上述读出数据的数据生成电路。
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