[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 03106649.6 | 申请日： | 2003-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN1467825A | 公开（公告）日： | 2004-01-14 |
| 发明（设计）人： | 横山雄一 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108;H01L23/52 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置的制造方法，包括：形成将作为第一导电层的位线触台(3)和存储节点触台(4)的上侧覆盖的层间绝缘膜(11)的工序；贯通所述层间绝缘膜(11)而同时形成连通于所述第一导电层的上面的多个接触孔的工序；通过将所述多个接触孔中一部分接触孔的上部扩宽而形成第二导电层用沟的工序；以及在所述多个接触孔和所述第二导电层用沟的内部配置导电体的工序。如此，就获得了位线接触孔(6)、存储节点接触孔(7)和作为第二导电层的位线(8)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，包括：为了覆盖第一导电层的上侧而形成层间绝缘膜的工序；贯通所述层间绝缘膜，同时形成多个连通到所述第一导电层的上面的接触孔的工序；通过将所述多个接触孔中的一部分接触孔的上部扩宽而形成第二导电层用沟的工序；以及在所述多个接触孔和所述第二导电层用沟的内部配置导电体的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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