[发明专利]等离子体处理装置及等离子体处理方法无效
| 申请号： | 03106734.4 | 申请日： | 2003-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN1525538A | 公开（公告）日： | 2004-09-01 |
| 发明（设计）人： | 橘内浩之;田中润一;山本秀之 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立高新技术 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/302 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种等离子体处理装置及方法：根据装置状态的变化监视加工结果的偏差，同时能够在装置状态变化的情况下，检测出恢复状态，并判断可否进行处理。该装置具有控制部件(10)和对晶片(2)实施等离子体处理的处理室(1)，其中：处理室(1)具有检测处理室内的处理状态和输出多个输出信号的等离子体状态检测装置(8、9)；控制部件(10)存储以前晶片处理结果信息、处理该以前的晶片时的等离子体状态检测数据及两者关联的关系式的数据库(13)，根据由等离子体状态检测装置得出的处理室状态检测结果和上述关系式计算出处理结果的预测值的运算部件(11)，根据计算出来的处理结果的预测值对处理室状态进行评估的监视部件(12)；在晶片处理后，根据关系式计算出处理结果的预测值，根据该预测值监视处理室状态。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理装置，具有控制部件和对晶片实施等离子体处理的处理室，其特征在于：上述处理室具有检测处理室内部的处理状态并输出多个输出信号的等离子体状态检测装置；上述控制部件具有以下功能：存储以前的晶片处理结果信息、以前处理该晶片时的等离子体状态检测数据及两者关联的关系式；根据由上述等离子体状态检测装置得出的处理室状态检测结果和上述关系式计算出处理结果的预测值；以及利用计算得到的处理结果的预测值来评估处理室的状态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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