[发明专利]沟槽式电容及其形成方法

摘要

本发明公开一种沟槽式电容及其形成方法，其有效简化形成沟槽式电容的制造步骤，而不影响半导体电容的集成度。该方法包括步骤：提供一具有沟槽的半导体基底，沟槽表面具有一蚀刻终止层，蚀刻终止层可导电；接着，在半导体基底及蚀刻终止层表面上形成一半球状晶粒生长层及一掺杂玻璃层，并在沟槽形成一露出上半部掺杂玻璃层的牺牲层；以牺牲层为掩模蚀刻掺杂玻璃层及半球状晶粒生长层至露出蚀刻终止层的表面为止，并将牺牲层去除；然后对掺杂玻璃层进行退火步骤以使半导体基底形成一离子注入区作为下电极，且去除残余的掺杂玻璃层及露出表面的蚀刻终止层；最后，在半球状晶粒生长层上形成一电容介电层，且在电容介电层上形成一上电极层。

主权项

1.一种沟槽式电容的形成方法，包括下列步骤：提供一半导体基底，该半导体基底表面上具有一掩模层，其中该半导体基底具有一沟槽；在该沟槽的表面上保形地形成一蚀刻终止层，该蚀刻终止层可导电；在该半导体基底及该蚀刻终止层的表面上依次保形地形成一半球状晶粒生长层及一掺杂玻璃层；在该沟槽形成一牺牲层，该牺牲层低于该沟槽顶端以露出该沟槽上半部的该掺杂玻璃层；以该牺牲层为蚀刻掩模，依次蚀刻该沟槽上半部的该掺杂玻璃层及该半球状晶粒生长层直至露出该蚀刻终止层的表面为止；去除该牺牲层；对该掺杂玻璃层进行退火步骤以使该半导体基底形成一离子注入区作为下电极；去除残余的该掺杂玻璃层及露出表面的该蚀刻终止层；在该半球状晶粒生长层上形成一电容介电层；以及在该电容介电层上形成一上电极层。