[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 03106779.4 | 申请日： | 2003-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN1441502A | 公开（公告）日： | 2003-09-10 |
| 发明（设计）人： | 黒泽纪雄 | 申请（专利权）人： | 富士通显示技术株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;G02F1/136 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在衬底上制作掺有p型杂质的半导体膜。其后，在半导体膜上施加抗蚀剂膜，并用抗蚀剂膜作掩模对半导体膜进行干法腐蚀。由于干法腐蚀，半导体膜的边缘部分从抗蚀剂膜露出。接着，用抗蚀剂膜作掩蔽对半导体膜的边缘部分掺入p型杂质。在半导体膜沟道边缘部分的p型杂质体浓度2－5倍于沟道中间部分的p型杂质体浓度。其后，除去抗蚀剂膜以制作栅绝缘膜和栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管器件，包括：一个衬底；以及一个薄膜晶体管，它被制作在所述衬底上并具有作为有源层的一个半导体膜，其中p型杂质被引入到一个沟道区中，其中所述半导体膜的边缘部分有斜坡，且在所述沟道区的所述边缘部分中的p型杂质的体浓度为所述沟道区的中心部分的p型杂质的体浓度的2至5倍。
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